包括TDK Corp和Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd在內(nèi)的幾家日本公司聯(lián)合開發(fā)兩款新型RFID標(biāo)簽，采用TFT技術(shù)在柔韌PET的底層上制作RFID標(biāo)簽（由RFID芯片和天線組成）原型。

這兩款新標(biāo)簽原型的工作頻段分別是13.56 MHz和900 MHz，其中13.56 MHz頻率標(biāo)簽的厚度，包括芯片外面的保護(hù)層在內(nèi)，大約只有30微米。

新型UHF標(biāo)簽的大小為35 mm x 53 mm，比13.56 MHz標(biāo)簽的尺寸 10 mm x 10 mm要大，因此UHF頻段的標(biāo)簽還含一層作粘貼作用的PET底層。UHF標(biāo)簽的厚度為75微米。兩款標(biāo)簽可以嵌入厚度為100微米的紙里。

“我們了解到如果要將標(biāo)簽嵌在紙里，標(biāo)簽厚度最好是紙張厚度的三分之一，或更少。他們解釋說將標(biāo)簽的厚度設(shè)為在三十微米的原因。

UHF標(biāo)簽的厚度也可以做成30微米。

雖然設(shè)計(jì)這兩款原型的目的是嵌在紙里，但是他們還沒決定具體的應(yīng)用。

這兩款標(biāo)簽都比采用單晶硅的RFID標(biāo)簽的厚度（100微米）薄，我們希望利用標(biāo)簽的高靈活性來宣傳標(biāo)簽，開拓市場，開發(fā)團(tuán)隊(duì)稱。

舉個(gè)例子，13.56MHz 標(biāo)簽的原型可應(yīng)用在直徑為5毫米的圓筒上，圍繞著圓筒。

提高的生產(chǎn)工藝

另外，除了采用TFT技術(shù)外，新標(biāo)簽的生產(chǎn)工藝也得到了提高：

首先， 基于TFT技術(shù)將芯片制作到一個(gè)玻璃底層上將芯片從玻璃底層上“取”走，用粘附劑將它們粘附在另一個(gè)“臨時(shí)底層”。 最后再將芯片取走，再次貼一個(gè)PET柔韌底層上。

這個(gè)過程最難的部分在于如何將芯片毫發(fā)無傷地從玻璃底層取走。 開發(fā)團(tuán)體解釋說，他們?yōu)?ldquo;臨時(shí)底層”挑選了的適合的材料和形狀，調(diào)整了去除底層過程中的溫度控制方法。

除了這種最新采用臨時(shí)底層的方式，其他去除芯片的方式包括：切除玻璃底層，將剩下的部分用化學(xué)藥劑溶解掉，或通過激光束將芯片從玻璃上去除掉。

對比幾種方式，這種最新方式更適合用于生產(chǎn)和降低成本

開發(fā)團(tuán)體現(xiàn)在尋求這兩款新標(biāo)簽的實(shí)際應(yīng)用案例，并研究如何減少標(biāo)簽尺寸，將現(xiàn)在的內(nèi)存換成可讀寫的內(nèi)存。

TDK 于今年10月2日舉行的CEATEC JAPAN 2007展會展出這兩款標(biāo)簽。